Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications - Université Claude Bernard Lyon 1 Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications

Alice Hospodkova
  • Fonction : Auteur
Jiri Pangrac
  • Fonction : Auteur
Karla Kuldova
  • Fonction : Auteur
Martin Nikl
  • Fonction : Auteur
Oliva Pacherova
  • Fonction : Auteur
Jiri Oswald
  • Fonction : Auteur
Tomas Hubacek
  • Fonction : Auteur
Marketa Zikova
  • Fonction : Auteur
Petr Bruza
  • Fonction : Auteur
Dalibor Panek
  • Fonction : Auteur
Karel Blazek
  • Fonction : Auteur
Gilles Ledoux
CV
Christophe Dujardin
Institut Lumière Matière [Villeurbanne]
Michael Heuken
  • Fonction : Auteur
Eduard Hulicius
  • Fonction : Auteur

Domaines

Chimie Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

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Soumis le : lundi 16 septembre 2019-12:08:00

Dernière modification le : mardi 30 mai 2023-13:22:09

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Dates et versions

hal-02289060 , version 1 (16-09-2019)

Identifiants

Citer

Alice Hospodkova, Jiri Pangrac, Karla Kuldova, Martin Nikl, Oliva Pacherova, et al.. Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications. Fourth Conference On Sensors, Mems, and Electro-optic Systems, 2016, Skukuza, Kruger National Park, South Africa. pp.1003617, ⟨10.1117/12.2244786⟩. ⟨hal-02289060⟩

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