Influence of P+ layer parameters on 4H-SiC UV PiN photodetector characteristics

Laurent Ottaviani (1, 2) , Stéphane Biondo (2) , Mihai Lazar (3, 4) , Wilfried Vervisch (2) , Julian Duchaine (5) , Frédéric Milesi (6) , Olivier Palais (2) , Dominique Planson (3, 4) , Frank Torregrosa (5)

1 TECSEN - Laboratoire de thermodynamique, propriétés électriques, contraintes, structures aux échelles nanométriques
2 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
3 EE - Ampère, Département Energie Electrique
4 INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
5 IBS - Ion Beam Services
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Energie électrique

Laurent Ottaviani, Stéphane Biondo, Mihai Lazar, Wilfried Vervisch, Julian Duchaine, et al.. Influence of P+ layer parameters on 4H-SiC UV PiN photodetector characteristics. WOCSDICE, May 2011, Catania, Italy. pp.181. ⟨hal-00661522⟩