Wurtzite phase control of self-assisted GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy - Institut des nanotechnologies de Lyon Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Wurtzite phase control of self-assisted GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy

Michel Gendry
Abstract JMC 2021 - Thomas Dursap.pdf (301.11 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03328858 , version 1 (28-09-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03328858 , version 1

Citer

Thomas Dursap, Iuliia Dudko, Marco Vettori, Claude Botella, Philippe Regreny, et al.. Wurtzite phase control of self-assisted GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy. Journées de la Matière Condensée, SFP, Aug 2021, Rennes, France. ⟨hal-03328858⟩
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